SAI-718D數(shù)字式防孤島保護(hù)裝置適用于35kV以下電壓等級的光伏發(fā)電的防孤島保護(hù)裝置，可組屏安裝，也可在開關(guān)柜就地安裝。

二、主要特點(diǎn)

2.1裝置采用多CPU結(jié)構(gòu)，保護(hù)模塊選用高性能32位CPU，人機(jī)對話模塊選用CPU，  增強(qiáng)了可靠性，充分保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和運(yùn)算速度。

2.2保護(hù)模塊采用16位的A/D轉(zhuǎn)換器，測量模塊采用的A/D轉(zhuǎn)換器、精度高達(dá)24位，各項(xiàng)測量計算指標(biāo)輕松達(dá)到要求。

2.3配置大容量的RAM和Flash Memory，數(shù)據(jù)處理功能強(qiáng)大，可記錄50個錄波報告，具有掉電保持功能。

2.4保護(hù)功能由圖形化的邏輯編程實(shí)現(xiàn)，功能的變化不用修改系統(tǒng)程序，保護(hù)原理透明、可靠，裝置的靈活性、穩(wěn)定性、可靠性大大加強(qiáng)。

2.5面板配置RS232串行接口，可以進(jìn)行邏輯編程也可聯(lián)接至計算機(jī)進(jìn)行調(diào)試和分析。

2.6獨(dú)立整定32套保護(hù)定值，定值切換安全方便。

2.7高精度的時鐘芯片，并配置有GPS硬件對時電路，便于全系統(tǒng)時鐘同步。

2.8高速串口通信接口，并集成了MODBUS 標(biāo)準(zhǔn)通信規(guī)約。

2.9精心的電氣設(shè)計，整機(jī)無可調(diào)節(jié)器件，實(shí)現(xiàn)了免調(diào)試概念設(shè)計。

2.10完善的自檢功能，自位至芯片。

2.11強(qiáng)弱電隔離布置、獨(dú)立模塊設(shè)計，使裝置具有優(yōu)異的抗干擾性能，組屏或安裝于開關(guān)柜時不需其它抗干擾模件。

2.12完善的自診斷功能

2.13防潮、防塵、抗振動的機(jī)箱設(shè)計

2.14裝置采用背插式結(jié)構(gòu)，強(qiáng)弱電分離，所有強(qiáng)電回路可以直接接入裝置。

2.15裝置采用全封閉結(jié)構(gòu)，采用低功耗SMT工藝，不僅適用于電力系統(tǒng)，還可以適應(yīng)化工、煤礦等特殊行業(yè)。

2.16跳合閘電流0.5～5A自適應(yīng)，對開關(guān)柜沒有特殊要求。

2.17對于交流操作電源的場合，裝置通過內(nèi)部24V電源進(jìn)行開關(guān)位置監(jiān)視，并配有完善的操作回路，解決交流操作問題。

三、技術(shù)參數(shù)

3.1 額定參數(shù)

3.1.1額定直流電壓： 220V或110V（訂貨注明）

3.1.2 額定交流數(shù)據(jù)：

a) 相電壓 V (特殊電壓訂貨注明)

b) 交流電流 5A或1A（訂貨注明）

c) 額定頻率 50Hz

3.1.3 功率消耗：

a) 直流回路 正常工作時：不大于15W

動作時： 不大于25W

b) 交流電壓回路   每相不大于0.5VA

c) 交流電流回路   額定電流為5A時：每相不大于1VA

額定電流為1A時：每相不大于0.5VA

3.1.4 狀態(tài)量電平：

CPU及通信接口模件的輸入狀態(tài)量電平 24V（18 V～30V）

GPS對時脈沖輸入電平 24V（18 V～30V）

CPU輸出狀態(tài)量（光耦輸出）允許電平  24V（18 V～30V）

3.2 主要技術(shù)性能

3.2.1采樣回路工作范圍（10％誤差）

電壓：0.4 V～120V

電流：0.08In－20In

3.2.2接點(diǎn)容量

信號回路接點(diǎn)載流容量 400VA

信號回路接點(diǎn)斷弧容量 60VA

3.2.3跳合閘電流：本裝置跳合閘電流采用自適應(yīng)模式，無需選擇。

3.2.4各類元件定值精度

電流元件： < ±5%

電壓元件： < ±5%

檢同期角度：< ±1°

時間元件： 0s-1s時，誤差不過40ms；

1s以上時，誤差不過<±2.5％；

頻率偏差： < ±0.02Hz

滑差定值： < ±5%

3.2.5 整組動作時間(包括繼電器固有時間)

速動段的固有動作時間：1.2倍整定值時測量，不大于40ms

3.2.6  暫態(tài)越   不大于5%

2.2.7 模擬量測量回路精度

裝設(shè)測量子模件的測控裝置：

電流、電壓：0.2級

功率、電度：0.5級

3.3 絕緣性能

3.3.1絕緣電阻

裝置的帶電部分和非帶電部分及外殼之間以及電氣上無聯(lián)系的各電路之間用開路電壓500V的兆歐表測量其絕緣電阻值，正常試驗(yàn)大氣條件下，各等級的各回路絕緣電阻不小于100MΩ。

3.3.2介質(zhì)強(qiáng)度

在正常試驗(yàn)大氣條件下，裝置能承受頻率為50Hz，電壓2000V歷時1分鐘的工頻耐壓試驗(yàn)而無擊穿閃爍及元件損壞現(xiàn)象。試驗(yàn)過程中，任一被試回路施加電壓時，其余回路等電位互聯(lián)接地。

3.3.3沖擊電壓

在正常試驗(yàn)大氣條件下，裝置的電源輸入回路、交流輸入回路、輸出觸點(diǎn)回路對地，以及回路之間，能承受1.2/50μs的標(biāo)準(zhǔn)雷電波的短時沖擊電壓試驗(yàn)，開路試驗(yàn)電壓5kV。

3.3.4耐濕熱性能

裝置能承受GB7261第21章規(guī)定的濕熱試驗(yàn)。*試驗(yàn)溫度+40℃、*濕度95％，試驗(yàn)時間為48小時，每一周期歷時24小時的交變濕熱試驗(yàn)，在試驗(yàn)結(jié)束前2小時內(nèi)根據(jù)2.3.1的要求，測量各導(dǎo)電電路對外露非帶電金屬部分及外殼之間、電氣上不聯(lián)系的各回路之間的絕緣電阻不小于1.5MΩ，介質(zhì)耐壓強(qiáng)度不低于2.3.2規(guī)定的介質(zhì)強(qiáng)度試驗(yàn)電壓幅值的75％。

3.4 電磁兼容性能

3.4.1靜電放電抗干擾度

通過GB/T 17626.2－1998標(biāo)準(zhǔn)、靜電放電抗干擾Ⅳ級試驗(yàn)。

3.4.2射頻電磁場輻射抗干擾度

通過GB/T 17626.3－1998標(biāo)準(zhǔn)、射頻電磁場輻射抗干擾度3級試驗(yàn)。

3.4.3電快速瞬變脈沖群抗干擾度

通過GB/T 17626.4－1998標(biāo)準(zhǔn)、電快速瞬變脈沖群抗干擾度Ⅳ級試驗(yàn)。

3.4.4浪涌（沖擊）抗干擾度

通過GB/T 17626.5－1999標(biāo)準(zhǔn)、浪涌（沖擊）抗干擾度3級試驗(yàn)。

3.4.5射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)干擾度

通過GB/T 17626.6－1998標(biāo)準(zhǔn)、射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)干擾度3級試驗(yàn)

3.4.6工頻磁場抗干擾度

通過GB/T 17626.8－1998標(biāo)準(zhǔn)、工頻磁場抗干擾度5級試驗(yàn)

3.4.7脈沖磁場抗干擾度

通過GB/T 17626.9－1998標(biāo)準(zhǔn)、脈沖磁場抗干擾度5級試驗(yàn)。

3.4.8阻尼振蕩磁場抗干擾度

通過GB/T 17626.10－1998標(biāo)準(zhǔn)、阻尼振蕩磁場抗干擾度5級試驗(yàn)。

3.4.9振蕩波抗干擾度

通過GB/T 17626.12－1998標(biāo)準(zhǔn)、振蕩波抗干擾度4級試驗(yàn)。

3.5 機(jī)械性能

3.5.1振動

裝置能承受GB7261中16.3規(guī)定的嚴(yán)酷等級為I級的振動耐久能力試驗(yàn)。

3.5.2沖擊

裝置能承受GB7261中17.5規(guī)定的嚴(yán)酷等級為I級的沖擊耐久能力試驗(yàn)。

3.5.3碰撞

裝置能承受GB7261第18章規(guī)定的嚴(yán)酷等級為I級的沖擊耐久能力試驗(yàn)。

3.6 環(huán)境條件

3.6.1  環(huán)境溫度：

工作：-10℃～+55℃。

貯存：-25℃～+85℃,在極限值下不施加激勵量,裝置不出現(xiàn)不可逆的變化,溫度恢復(fù)后,裝置應(yīng)能正常工作。

3.6.2  相對濕度：

*濕月的月平均*相對濕度為90%,同時該月的月平均*低溫度為25 ℃且表面無凝露。*溫度為+40℃時,平均*相對濕度不過50%。

3.6.3  大氣壓力：86～106kPa（相對海拔高度2km以下）